一种集成电路结构及其制造方法

        转让/许可方名称:天津恒立远大仪表股份有限公司
        转让/许可底价(万元):500
        挂牌截止时间:2026.8.15

开放许可声明编号:XK2025980007036;本发明提供了一种集成电路结构及其制造方法,其利用在衬底中形成第一密封层以及在衬底上形成第二密封层,并使得所述第一密封层和第二密封层均为压应力,来抵消衬底的翘曲力。并且,第一密封层和第二密封层的无机填充料的填充比不同,以使得两者具有压应力差,能够保证衬底不翘曲的同时,保证第一密封层和第二密封层的结合力。